«Investigadores chinos han anunciado una nueva técnica para producir en masa obleas de material 2D, allanando el camino para la electrónica de alto rendimiento utilizando un sucesor del silicio.»

«A medida que los chips semiconductores siguen evolucionando, el tamaño de los transistores se acerca a los límites físicos de la tecnología basada en silicio. La búsqueda de materiales semiconductores de nueva generación que ofrezcan un rendimiento superior se ha convertido en una prioridad mundial.»

«Entre los candidatos, los materiales bidimensionales (2D) como el disulfuro de molibdeno (MoS₂), con su estructura atómicamente delgada, se consideran sucesores prometedores para la era posterior a la Ley de Moore debido a su alta movilidad de portadores y bajo consumo de energía. Sin embargo, uno de los principales obstáculos para su comercialización ha sido la dificultad de producirlos uniformemente en grandes áreas y con alta calidad.»

«Un equipo dirigido por Wang Jinlan de la Universidad del Sudeste de Nanjing, en colaboración con Wang Xinran y Li Taotao de la Universidad de Nanjing , anunció un avance crucial el mes pasado. Introdujeron una novedosa técnica de crecimiento de cristales y fabricaron con éxito una oblea de MoS₂ monocristalina de 6 pulgadas (15 cm), proporcionando una ruta hacia la producción en masa de semiconductores 2D.»